問(wèn)答題BiCMOS工藝的主要技術(shù)特點(diǎn)是什么？由此所帶來(lái)的主要優(yōu)點(diǎn)是什么？
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3.問(wèn)答題列出當(dāng)前封裝中將芯片固定在基座上所采用的主要互連技術(shù)。
4.問(wèn)答題什么是芯片的關(guān)鍵尺寸？這種尺寸為何重要？自半導(dǎo)體制造業(yè)開始以來(lái)，芯片的關(guān)鍵尺寸是如何變化的？他對(duì)芯片上其他特征尺寸的影響是什么？
5.問(wèn)答題說(shuō)明封裝的主要作用。對(duì)封裝的主要要求是什么？
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試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型：?jiǎn)柎痤}
在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題
發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)
題型：名詞解釋
二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無(wú)關(guān)。
題型：判斷題
薄層電阻
題型：名詞解釋
與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。
題型：判斷題
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型：判斷題