A.基礎(chǔ)性
B.抽象性
C.理論性
D.實(shí)踐性
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A.材料生產(chǎn)企業(yè)
B.設(shè)計(jì)/制造企業(yè)
C.代工企業(yè)
D.芯片加工及組裝企業(yè)
A.最早是由Gordon Moore提出來
B.大約每一年半,集成電路集成度提高一倍,性能也提高一倍
C.提出這個(gè)定律的科學(xué)家來自英特爾公司
D.近年來一直是是半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展定律
A.直流光伏水泵
B.充電器
C.太陽能風(fēng)扇帽
D.草坪燈、庭院燈
A.間歇性工作
B.地域依賴性強(qiáng)
C.光伏發(fā)電本身不用燃料
D.占地面積大
A.能量密度低
B.就近解決發(fā)電、供電和用電
C.受自然條件和氣候環(huán)境因素影響大
D.轉(zhuǎn)換效率較低
最新試題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
半導(dǎo)體的主要特征有()()()和()。
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。