氧化中硅消耗的厚度占總氧化物厚度的46%，即意味著每生長1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗。 920A
最新試題
半導體獲得廣泛應用的原因是（）
試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當前實際工藝中使用的主要方法及理由。
因電場作用所產生的運動稱為擴散運動。
自由電子是載流子，空穴不是。
薄層電阻
在PN 結形成過程中，空穴的擴散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
點接觸型比面接觸型二極管的結電容面積小，因此其最高工作頻率低。
在PN 結中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。
本征半導體導電性能很差。
普通二極管是由PN 結引出電極封裝而成的。