問答題氧化硅的熱動(dòng)力學(xué)生長(zhǎng)過程中包括哪幾個(gè)主要過程？并說明每一種過程中的什么因素對(duì)氧化生長(zhǎng)速率有影響？其中決定因素是什么？
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發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)
題型：名詞解釋
什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說明其對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
試說明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。
題型：?jiǎn)柎痤}
純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。
題型：判斷題
與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。
題型：判斷題
理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。
題型：判斷題
自由電子是載流子，空穴不是。
題型：判斷題
舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。
題型：?jiǎn)柎痤}
試說明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。
題型：?jiǎn)柎痤}
明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。
題型：?jiǎn)柎痤}