半導(dǎo)體芯片制造工填空題每日一練(2020.06.09)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.填空題熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過(guò)熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

2.填空題如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長(zhǎng)度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合（）。

3.填空題半導(dǎo)體材料有兩種載流子參加導(dǎo)電，具有兩種導(dǎo)電類型。一種是（），另一種是（）。

4.填空題白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的（）。

5.填空題大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。