半導體芯片制造工章節(jié)練習(2020.06.07)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：根據(jù)瑞利判據(jù)：要提高分辨率，可以通過增大數(shù)值孔徑NA來實現(xiàn)。傳統(tǒng)曝光設備在鏡頭與硅片之間的介質是空氣，空氣的折射率是1；... 參考答案：多晶硅等離子刻蝕用的化學氣體通常是氯氣、溴氣或二者混合氣體。
刻蝕多晶硅的三步工藝：
1.預刻蝕，用于去... 參考答案：直流濺射——惰性氣體，如氬，送入低壓下的濺射腔體，電壓加在電極上產(chǎn)生等離子體。加負直流電壓的的是... 參考答案：正性光刻把與掩膜版上相同的圖形復制到硅片上，負性光刻把與掩膜版上圖形相反的圖形復制到硅片表面，這兩種基本工藝的主要區(qū)別在... 參考答案：硅中固態(tài)雜質擴散的三個步驟：
（1）預淀積：表面的雜質濃度濃度最高，并隨著深度的加大而減小，從而形成梯度。這種... 參考答案：增大了曝光場，可以獲得較大的芯片尺寸，一次曝光可以多曝光些芯片，它還具有在整個掃描過程調節(jié)聚焦的能力。
