半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2020.02.02)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題簡述在芯片制造中對(duì)金屬電極材料有什么要求？

參考答案：1、能很好的阻擋材料擴(kuò)散；
2、高電導(dǎo)率，低歐姆接觸電阻；
3、在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力；...

2.問答題熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴(kuò)散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會(huì)出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

參考答案：離子注入后會(huì)對(duì)晶格造成簡單晶格損傷和非晶層形成；損傷晶體空位密度大于非損傷晶體，且存在大量間隙原子和其他缺陷，使擴(kuò)散系數(shù)...

3.問答題畫出側(cè)墻轉(zhuǎn)移工藝和self-aligned double patterning（SADP）的工藝流程圖。

4 變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。

5.問答題什么是硅片的自然氧化層？由自然氧化層引起的三種問題是什么？

參考答案：自然氧化層：如果曝露于室溫下的空氣或含溶解氧的去離子水中，硅片的表面將被氧化。這一薄氧化層稱為自然氧化層。硅片上最初的自...

6.問答題引線焊接有哪些質(zhì)量要求？

參考答案：可靠性好，易保持一定形狀，化學(xué)穩(wěn)定性好。盡量少形成金屬間化合物，鍵合引線和焊盤金屬間形成低電阻歐姆接觸。平整度傾斜度，平...

7.填空題對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。

參考答案：邏輯單元符號(hào)庫；功能單元庫；拓?fù)鋯卧獛欤话鎴D單元庫

8.問答題例舉并描述金屬用于硅片制造的7種要求。

參考答案：金屬用于硅片制造的七個(gè)要求：
1.導(dǎo)電率：為維持電性能的完整性，必須具有高電導(dǎo)率，能夠傳導(dǎo)高電流密度。

9.問答題最通常的半導(dǎo)體材料是什么？該材料使用最普遍的原因是什么？

參考答案：最通常的半導(dǎo)體材料是硅。
原因：
1.硅的豐裕度；
2.更高的融化溫度允許更高的工藝容限；...

10.問答題在干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見，簡述其工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。

參考答案：光學(xué)放射頻譜分析是利用檢測(cè)等離子體中某種波長的光線強(qiáng)度變化來達(dá)到終點(diǎn)檢測(cè)的目的。光強(qiáng)的變化反映了等離子體中原子或分子濃度...