單項(xiàng)選擇題集成電路制造工藝中，二氧化硅膜不能用于（）。?

A.元器件的組成部分（如柵氧化層）
B.源漏極
C.互連層間絕緣介質(zhì)
D.作為掩蔽膜


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1.單項(xiàng)選擇題以下對(duì)集成電路版圖設(shè)計(jì)中幾何設(shè)計(jì)規(guī)則描述不正確的是（）。?

A.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是版圖圖形編輯的依據(jù)
B.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是設(shè)計(jì)系統(tǒng)生成版圖的依據(jù)
C.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是分析計(jì)算的依據(jù)
D.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是檢查版圖錯(cuò)誤的依據(jù)

2.單項(xiàng)選擇題以下不是影響刻蝕質(zhì)量的主要因素是（）。????

A.粘附性
B.刻蝕溫度
C.刻蝕時(shí)間
D.刻蝕槽的高度

3.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)集成電路發(fā)展趨勢(shì)的描述中，不正確的是（）。???

A.特征尺寸越來(lái)越小
B.晶圓尺寸越來(lái)越小
C.電源電壓越來(lái)越低
D.時(shí)鐘頻率越來(lái)越高

4.單項(xiàng)選擇題體現(xiàn)集成電路工藝技術(shù)水平的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)是：（）。???

A.特征尺寸
B.器件數(shù)量
C.互連線(xiàn)長(zhǎng)度
D.互連線(xiàn)層數(shù)

5.單項(xiàng)選擇題以下不是集成電路制造工藝特點(diǎn)的是：（）。

A.超凈
B.高精度
C.低精度
D.超純