A.RAM
B.EEPROM
C.DRAM
D.SRAM
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A.觸發(fā)器
B.計(jì)數(shù)器
C.數(shù)據(jù)選擇器
D.譯碼器
A.1100
B.0100
C.1101
D.0101
A.FLASH
B.EPROM
C.DRAM
D.PROM
A.ABCDE
B.
C.
D.
A.真值表
B.邏輯表達(dá)式
C.邏輯圖
D.VHDL語(yǔ)言
最新試題
邏輯函之間滿足（）關(guān)系。
已知函數(shù)F（A，B，C，D）=（AB’）’+（C’D+B’C）’，則其最簡(jiǎn)表達(dá)式為（）。
?BCD碼譯碼器如果不允許輸入大于9的數(shù)值的時(shí)候，當(dāng)輸入10時(shí)，輸出為（）。
要使CMOS門輸入高電平，不能使用的方法為（）。
為實(shí)現(xiàn)將D觸發(fā)器轉(zhuǎn)換為T觸發(fā)器，下圖所示電路的虛框內(nèi)應(yīng)是（）。
?當(dāng)共陰極7段數(shù)碼管顯示2的時(shí)候，輸出應(yīng)該為（）。
對(duì)于D觸發(fā)器，如果時(shí)鐘頻率為10MHz，輸出信號(hào)Q的頻率可能是（）MHz。
關(guān)于集成塊的輸出單元，下列說(shuō)法中正確的是（）。
若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，最小反相器（1X）延遲時(shí)間為2，對(duì)于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)（圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力），該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）最接近于（）。
若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，最小反相器（1X）延遲時(shí)間為2，對(duì)于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)（圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力），該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）最接近于（）。