A.負(fù)膠
B.正膠
C.光刻膠
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A.套準(zhǔn)精度
B.特征尺寸
C.分辨率
D.工藝寬容度
晶圓加工的基本流程順序?yàn)椋ǎ?br/>(1)切片
(2)外形整理
(3)研磨
(4)倒角
(5)清洗
(6)拋光
A.(1)(2)(3)(4)(5)(6)
B.(2)(1)(4)(3)(6)(5)
C.(1)(2)(4)(3)(5)(6)
D.(2)(1)(3)(4)(6)(5)
A.等離子去膠
B.溶劑去膠
C.氧化去膠
D.三氯乙烯去膠
下圖屬于什么光刻機(jī)?()
A.接觸式光刻機(jī)
B.步進(jìn)掃描光刻機(jī)
C.分布重復(fù)光刻機(jī)
D.接近式光刻機(jī)
A.局部氧化隔離
B.PN結(jié)隔離
C.PN結(jié)-介質(zhì)隔離
D.淺槽隔離
最新試題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線(xiàn)鍵合有兩種形式,分別是()。
AUBM的形成可以采用()方法。
引線(xiàn)鍵合的參數(shù)主要包括()。
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
下面不屬于QFP封裝改進(jìn)品質(zhì)的是()。
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線(xiàn)框(L/F),對(duì)設(shè)定的電性能無(wú)法調(diào)整,而B(niǎo)GA可以通過(guò)芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40~50倍的成品尺寸和重量的減少。
下列對(duì)焊接可靠性無(wú)影響的是()。