A.pn結(jié)空間電場(chǎng)區(qū)加寬
B.pn結(jié)空間電荷區(qū)縮窄
C.pn結(jié)不導(dǎo)電
D.pn結(jié)處于反向截止?fàn)顟B(tài)
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A.p區(qū)多子是空穴
B.n區(qū)少子是空穴
C.平衡后p區(qū)邊緣帶負(fù)電
D.平衡后n區(qū)邊緣帶正電
A.光伏組件
B.U盤存儲(chǔ)器
C.光盤
D.USB充電線
E.英特爾i7型CPU
A.p區(qū)源源不斷向n區(qū)擴(kuò)散原子
B.沒有通過截面的靜電流
C.p區(qū)和n區(qū)帶有同樣數(shù)量的電荷量
D.除了空間電荷區(qū)之外的材料都是電中性
A.p區(qū)接電源正極
B.n區(qū)結(jié)電源負(fù)極
C.偏置電壓只要大于0伏,pn結(jié)就處于正向?qū)顟B(tài)
D.此時(shí)p區(qū)向n區(qū)注入空穴
A.空穴在價(jià)帶中
B.電子在導(dǎo)帶中
C.電子濃度等于空穴濃度
D.電子濃度隨溫度升高而增大
E.空穴濃度隨溫度升高而增大
F.空穴濃度和電子濃度之和隨溫度升高而增大
G.空穴濃度和電子濃度之乘積隨溫度升高而增大
最新試題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對(duì)溝道電流的控制能力。
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí),漏極將失去對(duì)漏源電流的控制能力。
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上,柵極分壓占比小于50%。
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。