A.pn結(jié)各處具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)
B.p區(qū)本征費(fèi)米能級(jí)高于n區(qū)本征費(fèi)米能級(jí)
C.p區(qū)各能帶高于n區(qū)
D.n區(qū)費(fèi)米能級(jí)高于p區(qū)
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A.pn結(jié)空間電場(chǎng)區(qū)加寬
B.pn結(jié)空間電荷區(qū)縮窄
C.pn結(jié)不導(dǎo)電
D.pn結(jié)處于反向截止?fàn)顟B(tài)
A.p區(qū)多子是空穴
B.n區(qū)少子是空穴
C.平衡后p區(qū)邊緣帶負(fù)電
D.平衡后n區(qū)邊緣帶正電
A.光伏組件
B.U盤(pán)存儲(chǔ)器
C.光盤(pán)
D.USB充電線
E.英特爾i7型CPU
A.p區(qū)源源不斷向n區(qū)擴(kuò)散原子
B.沒(méi)有通過(guò)截面的靜電流
C.p區(qū)和n區(qū)帶有同樣數(shù)量的電荷量
D.除了空間電荷區(qū)之外的材料都是電中性
A.p區(qū)接電源正極
B.n區(qū)結(jié)電源負(fù)極
C.偏置電壓只要大于0伏,pn結(jié)就處于正向?qū)顟B(tài)
D.此時(shí)p區(qū)向n區(qū)注入空穴
最新試題
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體,其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
第一塊集成電路發(fā)明于()年。