多項選擇題pn結的制備方法有()。
A.合金法
B.擴散法
C.離子注入法
D.外延生長法
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1.多項選擇題關于平衡pn結的能帶的說法中,正確的有()。
A.pn結各處具有統(tǒng)一的費米能級
B.p區(qū)本征費米能級高于n區(qū)本征費米能級
C.p區(qū)各能帶高于n區(qū)
D.n區(qū)費米能級高于p區(qū)
2.多項選擇題pn結反向偏置正常工作時()。
A.pn結空間電場區(qū)加寬
B.pn結空間電荷區(qū)縮窄
C.pn結不導電
D.pn結處于反向截止狀態(tài)
3.多項選擇題關于pn結,正確的說法有()。
A.p區(qū)多子是空穴
B.n區(qū)少子是空穴
C.平衡后p區(qū)邊緣帶負電
D.平衡后n區(qū)邊緣帶正電
4.多項選擇題下列儀器儀表中含有PN結的有哪些?()
A.光伏組件
B.U盤存儲器
C.光盤
D.USB充電線
E.英特爾i7型CPU
5.多項選擇題平衡pn結的特征在理論上有()。
A.p區(qū)源源不斷向n區(qū)擴散原子
B.沒有通過截面的靜電流
C.p區(qū)和n區(qū)帶有同樣數(shù)量的電荷量
D.除了空間電荷區(qū)之外的材料都是電中性
最新試題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
晶體管的全部應用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題
MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。
題型:判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
題型:填空題
絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題