問(wèn)答題簡(jiǎn)述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。
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2.問(wèn)答題什么是光刻中常見(jiàn)的表面反射和駐波效應(yīng)？如何解決？
3.問(wèn)答題典型的光刻工藝主要有哪幾步？簡(jiǎn)述各步驟的作用。
5.問(wèn)答題在光刻中，能夠在增加分辨率的同時(shí)增加聚焦深度嗎？為什么？
最新試題
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？
題型：?jiǎn)柎痤}
光刻中采用步進(jìn)掃描技術(shù)獲得了什么好處？
題型：?jiǎn)柎痤}
哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來(lái)刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。
題型：?jiǎn)柎痤}
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴(kuò)散的三個(gè)步驟。
題型：?jiǎn)柎痤}
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是阻擋層金屬？阻擋層材料的基本特征是什么？哪種金屬常被用作阻擋層金屬？
題型：?jiǎn)柎痤}
描述化學(xué)機(jī)械平坦化工藝。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是摻雜？例舉四種常用的摻雜雜質(zhì)并說(shuō)明它們是n型還是p型？
題型：?jiǎn)柎痤}