問答題試述曝光時間對設(shè)計的圖形的影響。
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最新試題
把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
題型：單項選擇題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題
在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。
題型：單項選擇題
由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
題型：單項選擇題
從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
題型：多項選擇題
集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。
題型：多項選擇題
20世紀上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
題型：多項選擇題
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。
題型：問答題