問答題光刻膠正膠和負(fù)膠的區(qū)別是什么?
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比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
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硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
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利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
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在晶體材料中,對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是()。
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說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
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版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么?
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根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型:?jiǎn)柎痤}