A、3
B、6
C、10
D、20
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A、100mm×100mm×100mm
B、50mm×50mm×50mm
C、150mm×150mm×150mm
D、70.7mm×70.7mm×70.7mm
A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚
C、蒸壓加氣混凝土
D、蒸壓灰砂磚
A、最大
B、最小
C、平均
D、中間
A、五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
A、五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個氣干狀態(tài)的對比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。