A、1
B、2
C、3
D、4
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A、3
B、6
C、10
D、20
A、100mm×100mm×100mm
B、50mm×50mm×50mm
C、150mm×150mm×150mm
D、70.7mm×70.7mm×70.7mm
A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚
C、蒸壓加氣混凝土
D、蒸壓灰砂磚
A、最大
B、最小
C、平均
D、中間
A、五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
可用作硅片的研磨材料是()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
硅片拋光在原理上不可分為()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()