A、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒5.0~8.0kN
B、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒18.0~22.5kN
C、邊長200mm的C20級砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
D、邊長200mm的C40級砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
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A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒6.75~11.25kN
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒11.25~18.00kN
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒18.00~22.50kN
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、強度等級越高,加荷速度應(yīng)越小
A、試件拆模時間
B、試件移入標準養(yǎng)護室時間
C、拌合物攪拌加水時間
D、拌合物拌制完成時間
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內(nèi)陰涼場所
C、結(jié)構(gòu)或構(gòu)件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽的屋檐下
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的室內(nèi)
B、溫度20±2℃的不流動的Ca(OH)2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動的醋酸溶液中
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
下列是晶體的是()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();