A、強(qiáng)度硬度下降,塑性韌性提高
B、強(qiáng)度硬度提高,塑性韌性下降
C、強(qiáng)度韌性提高,塑性韌性下降
D、強(qiáng)度韌性下降,塑性硬度提高
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、晶粒的相對(duì)滑動(dòng)
B、晶格的扭折
C、位錯(cuò)的滑移
D、位錯(cuò)類(lèi)型的改變
A、增大VK
B、增加淬透性
C、減小其淬透性
D、增大其淬硬性
A.等溫退火
B.完全退火
C.球化退火
D.正火
A、溫度
B、拉力
C、錨具構(gòu)造
D、張拉錨固工藝
A、L
B、S
C、J
D、M
最新試題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
在光線(xiàn)作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()