A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
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A.試件搬運(yùn)過(guò)程中,應(yīng)防止碰撞,并應(yīng)采取減小振動(dòng)的措施
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿,并應(yīng)伸進(jìn)撬棍,應(yīng)將水平灰縫撬松動(dòng),然后應(yīng)小心抬出試件
D.需要長(zhǎng)距離運(yùn)輸試件時(shí),宜用草繩等材料緊密捆綁試件
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
A.使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標(biāo)上測(cè)量砌體變形的初讀數(shù)時(shí),應(yīng)測(cè)量3次,并應(yīng)取其平均值
B.槽的四周應(yīng)清理平整,并應(yīng)除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進(jìn)行下一步測(cè)試工作
D.開槽時(shí)不應(yīng)操作測(cè)點(diǎn)部位的墻體及變形測(cè)量腳標(biāo)
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
硅片拋光在原理上不可分為()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()