填空題目前常用的測量非平衡半導體晶體載流子壽命表的方法,一般可分為兩大類,(),穩(wěn)態(tài)法(間接法)。
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最新試題
晶體管的全部應用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
題型:填空題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型:填空題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。
題型:判斷題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。
題型:判斷題
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
題型:判斷題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題