單項(xiàng)選擇題當(dāng)晶體生長(zhǎng)的較快，內(nèi)坩堝中雜質(zhì)量變少，晶體的電阻率（）.

A.上升
B.下降
C.不變
D.不確定


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1.單項(xiàng)選擇題制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是（）.

A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液

2.單項(xiàng)選擇題測(cè)量硅中氧濃度常用的方法是（）.

A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法

4.單項(xiàng)選擇題列多晶硅生長(zhǎng)過程中需要通入氬氣做保護(hù)氣的是（）.

A.加熱
B.化料
C.晶體生長(zhǎng)
D.冷卻

5.單項(xiàng)選擇題在晶體凝固過程中，存在溫度梯度的是（）.

A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分