單項(xiàng)選擇題制備單晶硅薄膜方面的主要工藝方法是（）.

A.汽-固
B.液-固
C.固-固
D.汽-液


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1.單項(xiàng)選擇題測量硅中氧濃度常用的方法是（）.

A.帶電粒子活化法
B.熔化分析法
C.離子質(zhì)譜法
D.紅外光譜分析法

3.單項(xiàng)選擇題列多晶硅生長過程中需要通入氬氣做保護(hù)氣的是（）.

A.加熱
B.化料
C.晶體生長
D.冷卻

4.單項(xiàng)選擇題在晶體凝固過程中，存在溫度梯度的是（）.

A.上部和邊緣部分
B.中部和邊緣部分
C.上部和底部
D.底部和邊緣部分

5.單項(xiàng)選擇題硅元素的原子序數(shù)是（）.

A.13
B.14
C.15
D.16