問(wèn)答題如何解決MOS器件中的寄生雙極晶體管效應(yīng)？
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最新試題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn)，說(shuō)法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過(guò)程包括粘裝和引線(xiàn)鍵合兩個(gè)工序，而倒裝芯片則合二為一。
題型：判斷題
制造和封裝工藝過(guò)程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
下列對(duì)焊接可靠性無(wú)影響的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型：判斷題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
引線(xiàn)鍵合的目的是將金線(xiàn)鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題