多項(xiàng)選擇題下列情形中會(huì)使得存在電容串?dāng)_時(shí)受害信號(hào)線受到更大干擾的是()。
A.耦合電容更大
B.干擾信號(hào)擺幅大
C.受害信號(hào)線是低阻抗節(jié)點(diǎn)(被低的驅(qū)動(dòng)電阻驅(qū)動(dòng))
D.干擾信號(hào)翻轉(zhuǎn)速度快
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1.單項(xiàng)選擇題信號(hào)經(jīng)過長(zhǎng)導(dǎo)線的傳播延時(shí)和導(dǎo)線長(zhǎng)度的()次方成正比。
A.1
B.2
C.3
D.0
2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)導(dǎo)線延時(shí)超過邏輯門延時(shí),信號(hào)翻轉(zhuǎn)時(shí)間也比導(dǎo)線延時(shí)短是,應(yīng)該采用下面哪種延時(shí)模型?()
A.集總電容模型
B.分布rc模型
C.集總RC模型
D.看作理想導(dǎo)線
3.多項(xiàng)選擇題數(shù)字集成電路中的寄生電感的影響主要考慮()線上的寄生。
A.電源
B.地
C.時(shí)鐘
D.數(shù)據(jù)信號(hào)
4.多項(xiàng)選擇題下列因素會(huì)影響一條導(dǎo)線的總的寄生電容的有()。
A.絕緣層的厚度
B.導(dǎo)線的寬度
C.導(dǎo)線之間的線間距
D.金屬層的厚度
5.多項(xiàng)選擇題當(dāng)一個(gè)電路的靜態(tài)功耗不可忽略時(shí),關(guān)于使它一次翻轉(zhuǎn)消耗的總能量最小的電源電壓的表述正確的是()。
A.應(yīng)該充分降低VDD
B.能耗與VDD不是單調(diào)關(guān)系,存在一個(gè)最優(yōu)的電源電壓
C.過低的VDD會(huì)引起靜態(tài)能耗增加
D.最優(yōu)的VDD通常小于晶體管的閾值電壓
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