單項選擇題當導線延時超過邏輯門延時，信號翻轉時間也比導線延時短是，應該采用下面哪種延時模型？（）
A.集總電容模型
B.分布rc模型
C.集總RC模型
D.看作理想導線
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1.多項選擇題數(shù)字集成電路中的寄生電感的影響主要考慮（）線上的寄生。
A.電源
B.地
C.時鐘
D.數(shù)據(jù)信號
2.多項選擇題下列因素會影響一條導線的總的寄生電容的有（）。
A.絕緣層的厚度
B.導線的寬度
C.導線之間的線間距
D.金屬層的厚度
3.多項選擇題當一個電路的靜態(tài)功耗不可忽略時，關于使它一次翻轉消耗的總能量最小的電源電壓的表述正確的是（）。
A.應該充分降低VDD
B.能耗與VDD不是單調關系，存在一個最優(yōu)的電源電壓
C.過低的VDD會引起靜態(tài)能耗增加
D.最優(yōu)的VDD通常小于晶體管的閾值電壓
4.單項選擇題一個輸入為0的CMOS反相器的PMOS管存在哪些會引起靜態(tài)功耗的漏電流？（）
A.柵氧化層隧穿電流
B.亞閾值漏電流
C.柵極感應漏端漏電GIDL
D.pn結反偏漏電流（BTBT）
5.多項選擇題一個數(shù)字電路的平均功耗和下列哪些量成正比？（）
A.開關活動性
B.工作頻率
C.電路的寄生電容
D.全擺幅時的電源電壓
最新試題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形（）。
題型：單項選擇題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項選擇題
鍵合工藝失效，，鍵合點尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
題型：多項選擇題
QFP的結構形式因帶有引線框（L/F），對設定的電性能無法調整，而BGA可以通過芯片片基結構的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
下面關于BGA的特點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
電子封裝是指對電路芯片進行包裝，進而保護電路芯片，以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
題型：判斷題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說法正確的是（）。
題型：多項選擇題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項選擇題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項選擇題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項選擇題