單項(xiàng)選擇題信號(hào)經(jīng)過長導(dǎo)線的傳播延時(shí)和導(dǎo)線長度的()次方成正比。
A.1
B.2
C.3
D.0
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)導(dǎo)線延時(shí)超過邏輯門延時(shí),信號(hào)翻轉(zhuǎn)時(shí)間也比導(dǎo)線延時(shí)短是,應(yīng)該采用下面哪種延時(shí)模型?()
A.集總電容模型
B.分布rc模型
C.集總RC模型
D.看作理想導(dǎo)線
2.多項(xiàng)選擇題數(shù)字集成電路中的寄生電感的影響主要考慮()線上的寄生。
A.電源
B.地
C.時(shí)鐘
D.數(shù)據(jù)信號(hào)
3.多項(xiàng)選擇題下列因素會(huì)影響一條導(dǎo)線的總的寄生電容的有()。
A.絕緣層的厚度
B.導(dǎo)線的寬度
C.導(dǎo)線之間的線間距
D.金屬層的厚度
4.多項(xiàng)選擇題當(dāng)一個(gè)電路的靜態(tài)功耗不可忽略時(shí),關(guān)于使它一次翻轉(zhuǎn)消耗的總能量最小的電源電壓的表述正確的是()。
A.應(yīng)該充分降低VDD
B.能耗與VDD不是單調(diào)關(guān)系,存在一個(gè)最優(yōu)的電源電壓
C.過低的VDD會(huì)引起靜態(tài)能耗增加
D.最優(yōu)的VDD通常小于晶體管的閾值電壓
5.單項(xiàng)選擇題一個(gè)輸入為0的CMOS反相器的PMOS管存在哪些會(huì)引起靜態(tài)功耗的漏電流?()
A.柵氧化層隧穿電流
B.亞閾值漏電流
C.柵極感應(yīng)漏端漏電GIDL
D.pn結(jié)反偏漏電流(BTBT)
最新試題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型:判斷題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型:判斷題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
題型:單項(xiàng)選擇題
引線鍵合的參數(shù)主要包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
鍵合常用的劈刀形狀,下列說法正確的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
以下不屬于打碼目的的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題