多項選擇題數(shù)字集成電路中的寄生電感的影響主要考慮（）線上的寄生。

A.電源
B.地
C.時鐘
D.數(shù)據(jù)信號


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1.多項選擇題下列因素會影響一條導(dǎo)線的總的寄生電容的有（）。

A.絕緣層的厚度
B.導(dǎo)線的寬度
C.導(dǎo)線之間的線間距
D.金屬層的厚度

2.多項選擇題當(dāng)一個電路的靜態(tài)功耗不可忽略時，關(guān)于使它一次翻轉(zhuǎn)消耗的總能量最小的電源電壓的表述正確的是（）。

A.應(yīng)該充分降低VDD
B.能耗與VDD不是單調(diào)關(guān)系，存在一個最優(yōu)的電源電壓
C.過低的VDD會引起靜態(tài)能耗增加
D.最優(yōu)的VDD通常小于晶體管的閾值電壓

3.單項選擇題一個輸入為0的CMOS反相器的PMOS管存在哪些會引起靜態(tài)功耗的漏電流？（）

A.柵氧化層隧穿電流
B.亞閾值漏電流
C.柵極感應(yīng)漏端漏電GIDL
D.pn結(jié)反偏漏電流（BTBT）

4.多項選擇題一個數(shù)字電路的平均功耗和下列哪些量成正比？（）

A.開關(guān)活動性
B.工作頻率
C.電路的寄生電容
D.全擺幅時的電源電壓

5.單項選擇題一個邏輯門輸出從低電平向高電平翻轉(zhuǎn)的過程中存在（）動態(tài)功耗，從高電平向低電平翻轉(zhuǎn)的過程中存在（）動態(tài)功耗。

A.電容充電功耗和直流通路引起的功耗；直流通路引起的功耗
B.電容充電功耗和直流通路引起的功耗；電容充電功耗和直流通路引起的功耗
C.電容充電功耗；直流通路引起的功耗
D.直流通路引起的功耗；電容充電功耗和直流通路引起的功耗
E.電容充電功耗和直流通路引起的功耗；無