判斷題在LPCVD中,由于hG>>kS,即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于表面反應(yīng)速率常數(shù),所以,LPCVD系統(tǒng)中,淀積過(guò)程主要是質(zhì)量轉(zhuǎn)移控制
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1.單項(xiàng)選擇題離子注入與熱擴(kuò)散相比,哪個(gè)橫向效應(yīng)?。ǎ?/a>
A. 離子注入
B. 熱擴(kuò)散
2.單項(xiàng)選擇題
二氧化硅膜能有效的對(duì)擴(kuò)散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件有哪些()
①雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)
②雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)
③二氧化硅的厚度大于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度
④二氧化硅的厚度小于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度
A.②④
B.①③
C.①④
D.②③
3.單項(xiàng)選擇題在溫度相同的情況下,制備相同厚度的氧化層,分別用干氧,濕氧和水汽氧化,哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)?()
A.干氧
B.濕氧
C.水汽氧化
4.名詞解釋歐姆接觸
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述電子束曝光的特點(diǎn)
最新試題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括()。
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多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
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碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
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濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
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硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
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厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
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IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
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硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
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鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
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