單項(xiàng)選擇題Liner barrier阻擋金屬間擴(kuò)散作用的金屬是()。
A.金屬Al
B.金屬鈦
C.金屬氮化鈦
D.金屬鎢
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1.單項(xiàng)選擇題摻氯氧化使用的HCL是()。
A.液態(tài)源
B.固態(tài)源
C.氣態(tài)源
2.單項(xiàng)選擇題二氧化硅中每個(gè)硅原子周圍有()個(gè)氧原子。
A.1
B.2
C.3
D.4
3.單項(xiàng)選擇題以下哪項(xiàng)不是STI工藝氣體?()
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
4.單項(xiàng)選擇題CMP清洗部分的順序是()。
A.兆聲清洗(Meg)-SRD(甩干)-Brush(刷洗)
B.兆聲清洗(Meg)-Brush(刷洗)-SRD(甩干)
C.Brush(刷洗)-兆聲清洗(Meg)-SRD(甩干)
D.Brush(刷洗)-SRD(甩干)-兆聲清洗(Meg)
5.單項(xiàng)選擇題高電流注入機(jī)的掃描方式為()。
A.靜電掃描
B.機(jī)械掃描
C.靜電掃描與機(jī)械掃描結(jié)合
最新試題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型:判斷題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序,而倒裝芯片則合二為一。
題型:判斷題
鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀,引線鍵合有兩種形式,分別是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型:判斷題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型:判斷題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型:判斷題