多項(xiàng)選擇題實(shí)現(xiàn)CVD工藝保形覆蓋的關(guān)鍵因素有（）。

A.表面遷移
B.直接入射
C.再發(fā)射
D.到達(dá)角


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題CVD制備SiO2的方法有（）。

A.中溫LPCVD
B.低溫APCVD
C.低溫PECVD
D.低溫LPCVD

2.多項(xiàng)選擇題金屬W（鎢）的用途有（）。

A.局部互連
B.全局互連
C.鎢插塞
D.柵極

3.多項(xiàng)選擇題下列屬于多晶硅薄膜的特性有（）。

A.擴(kuò)散系數(shù)明顯高于單晶硅
B.晶粒尺寸大的薄膜電阻率小
C.晶向唯一
D.電阻率遠(yuǎn)高于單晶硅

4.多項(xiàng)選擇題?LPCVD系統(tǒng)與PECVD系統(tǒng)相比，它們的相同點(diǎn)有（）。

A.產(chǎn)量低
B.可淀積Si3N4等
C.臺(tái)階覆蓋好
D.反應(yīng)控制

5.多項(xiàng)選擇題?APCVD系統(tǒng)的缺點(diǎn)有（）。?

A.均勻性差
B.易發(fā)生氣相反應(yīng)
C.臺(tái)階覆蓋
D.高溫工藝