單項(xiàng)選擇題氯氧鎂水泥也稱(chēng)（）
A、普通水泥
B、氧化鎂水泥
C、菱苦土水泥
D、氯化鎂水泥
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1.單項(xiàng)選擇題二水石膏在800-1000℃下煅燒，所得高溫燃燒石膏磨成細(xì)粉即成為（）
A、一水石膏
B、半水石膏
C、工業(yè)石膏
D、硬石膏膠凝材料
2.單項(xiàng)選擇題復(fù)合材料的（）是其區(qū)別于傳統(tǒng)材料的根本特點(diǎn)之一
A、耐腐蝕性
B、耐用性
C、抗疲勞性
D、可設(shè)計(jì)性
3.單項(xiàng)選擇題材料開(kāi)發(fā)的歷史是結(jié)構(gòu)材料——功能材料——（）
A、靈巧材料
B、智能材料
C、復(fù)合材料
D、梯度材料
4.單項(xiàng)選擇題（）是指對(duì)環(huán)境具有可感知，可自應(yīng)并具有功能發(fā)現(xiàn)能力的新材料
A、結(jié)構(gòu)材料
B、功能材料
C、智能材料
D、梯度材料
5.單項(xiàng)選擇題水熱法是（）反應(yīng)，反映在高溫高壓下，以水為介質(zhì)進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)。
A、液相
B、水熱
C、還原
D、氧化
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題