A. 離子注入 B. 熱擴散
最新試題
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
光刻工藝的特點包括（）。
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
摻雜后，退火的目的是（）。
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
消除鳥嘴效應的方法有（）。
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）