A.雜質(zhì)激發(fā)主要發(fā)生在高溫段
B.本征激發(fā)主要發(fā)生在低溫段
C.絕對零度時(shí)不存在雜質(zhì)激發(fā)
D.本征激發(fā)的載流子濃度是多子濃度
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A.復(fù)合過程與機(jī)理
B.材料的質(zhì)量密度
C.材料本身
D.溫度
E.摻雜濃度
A.可能釋放出光子
B.可能激發(fā)晶格振動(dòng)
C.帶隙消失
D.也許會(huì)適當(dāng)出熱量
A.費(fèi)米能級降低
B.電子濃度增大
C.本征載流子濃度增大
D.空穴濃度增大
A.基礎(chǔ)性
B.抽象性
C.理論性
D.實(shí)踐性
A.材料生產(chǎn)企業(yè)
B.設(shè)計(jì)/制造企業(yè)
C.代工企業(yè)
D.芯片加工及組裝企業(yè)
最新試題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓,即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。
雙極型晶體管內(nèi)部有()個(gè)極,()個(gè)區(qū),()個(gè)PN結(jié)。
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對漏源電流的控制作用。
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。