A.費米能級降低
B.電子濃度增大
C.本征載流子濃度增大
D.空穴濃度增大
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A.基礎(chǔ)性
B.抽象性
C.理論性
D.實踐性
A.材料生產(chǎn)企業(yè)
B.設(shè)計/制造企業(yè)
C.代工企業(yè)
D.芯片加工及組裝企業(yè)
A.最早是由Gordon Moore提出來
B.大約每一年半，集成電路集成度提高一倍，性能也提高一倍
C.提出這個定律的科學(xué)家來自英特爾公司
D.近年來一直是是半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展定律
A.直流光伏水泵
B.充電器
C.太陽能風(fēng)扇帽
D.草坪燈、庭院燈
A.間歇性工作
B.地域依賴性強
C.光伏發(fā)電本身不用燃料
D.占地面積大
最新試題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。