多項選擇題導帶電子運動到價帶后()。
A.可能釋放出光子
B.可能激發(fā)晶格振動
C.帶隙消失
D.也許會適當出熱量
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1.多項選擇題純硅中摻雜一定濃度的硼元素之后()。
A.費米能級降低
B.電子濃度增大
C.本征載流子濃度增大
D.空穴濃度增大
2.多項選擇題半導體物理與器件課程的三大特點是()。
A.基礎(chǔ)性
B.抽象性
C.理論性
D.實踐性
3.多項選擇題半導體制造業(yè)大致可以分為()兩類。
A.材料生產(chǎn)企業(yè)
B.設(shè)計/制造企業(yè)
C.代工企業(yè)
D.芯片加工及組裝企業(yè)
4.多項選擇題半導體行業(yè)的摩爾定律是()。
A.最早是由Gordon Moore提出來
B.大約每一年半,集成電路集成度提高一倍,性能也提高一倍
C.提出這個定律的科學家來自英特爾公司
D.近年來一直是是半導體行業(yè)的發(fā)展定律
5.單項選擇題不適合使用無蓄電池的直流光伏發(fā)電系統(tǒng)的應(yīng)用有()。
A.直流光伏水泵
B.充電器
C.太陽能風扇帽
D.草坪燈、庭院燈
最新試題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
實際的MOS管,絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型:判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型:判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型:判斷題