判斷題MOS型場效應(yīng)晶體管是一種三端、三種材料、異質(zhì)結(jié)型、一種載流子工作的電壓控制型器件。
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3.多項(xiàng)選擇題關(guān)于pn結(jié)空間電荷區(qū)的說法正確的有()。
A.寬度大約幾百個(gè)微米
B.其寬度與外加偏置電壓大小有關(guān)
C.反向偏置寬度增大
D.正向偏置寬度增大
E.內(nèi)部存在著熱平衡載流子
F.與p區(qū)和n區(qū)相比最容易失效
4.多項(xiàng)選擇題pn結(jié)正向偏置時(shí),下列說法正確的有()。
A.p區(qū)向n區(qū)擴(kuò)散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴(kuò)散電子
C.p區(qū)進(jìn)入n區(qū)的空穴多于n區(qū)進(jìn)入p區(qū)的空穴
D.n區(qū)進(jìn)入p區(qū)的電子多于p區(qū)進(jìn)入n區(qū)的電子
5.多項(xiàng)選擇題關(guān)于平衡狀態(tài)的pn結(jié),下列說法正確的有()。
A.p區(qū)向n區(qū)擴(kuò)散空穴
B.n區(qū)向p區(qū)擴(kuò)散電子
C.p區(qū)向n區(qū)漂移電子
D.n區(qū)向p區(qū)漂移空穴
E.p區(qū)不斷地向n區(qū)擴(kuò)散原子
最新試題
()是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型:填空題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型:判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
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題型:填空題
第一塊集成電路發(fā)明于()年。
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1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
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