多項(xiàng)選擇題

關(guān)于等長(zhǎng)處理、說(shuō)法正確的是（）。

A.A
B.B
C.C
D.D


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1.多項(xiàng)選擇題關(guān)于匹配、以下說(shuō)法正確的是（）。

A.點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可采用源端匹配和終端匹配
B.菊花鏈的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，優(yōu)選終端匹配
C.星型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，優(yōu)選末端匹配
D.遠(yuǎn)端簇型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，優(yōu)選終端匹配

2.多項(xiàng)選擇題關(guān)鍵信號(hào)的布線(xiàn)應(yīng)該遵循如下基本原則：（）

A.優(yōu)先選擇參考平面是地平面的信號(hào)層走線(xiàn)
B.依照布局情況最短布線(xiàn)
C.走線(xiàn)間距單端線(xiàn)必須滿(mǎn)足3W以上，差分線(xiàn)對(duì)間距必須滿(mǎn)足20mil以上
D.走線(xiàn)少打過(guò)孔，優(yōu)先在過(guò)孔Stub最短的布線(xiàn)層布線(xiàn)

3.多項(xiàng)選擇題層疊設(shè)計(jì)需要多方關(guān)注如下幾個(gè)問(wèn)題：（）

A.疊層對(duì)稱(chēng)性（銅厚、介質(zhì)）
B.阻抗連續(xù)性
C.主元件面相鄰層為優(yōu)選地層
D.電源和地平面緊耦合

4.多項(xiàng)選擇題單板電源設(shè)計(jì)時(shí)、要優(yōu)先關(guān)注（）。

A.低電壓大電流（如CPU、FPGA、DSP的核電源、DDR電源等）
B.高電壓大電流（如單板的總電源如12V等）
C.電源分布范圍較大的電源（如5V/3.3V/1.8V/1.5V此類(lèi)整板電源）
D.電流大于1A以上的電源（如CPU、FPGA、DSP等芯片的IO電源）

5.多項(xiàng)選擇題關(guān)于布局、以下說(shuō)法正確的是（）。

A.電解電容、鉭電容布局時(shí)極性方向要一致
B.TVS管、ESD、保險(xiǎn)絲等保護(hù)器件靠近接口放置
C.熱敏器件不允許靠近大功率器件布局
D.數(shù)字、模擬器件分區(qū)布局