A.PN結(jié)面積小，適用于高頻情況
B.PN結(jié)面積大，適用于高頻情況
C.PN結(jié)面積小，適用于低頻情況
D.PN結(jié)面積大，適用于低頻情況
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A.反向
B.擊穿
C.擊穿反向
D.反向擊穿
下列關(guān)于PN結(jié)伏安特性方程中，正確的是（）。?
A.A
B.B
C.C
D.D
A.26V
B.2.6V
C.26mV
D.2.6mV
A.P端電位高，N端電位低
B.N端電位高，P端電位低
C.P端與N端電位相同
D.P、N兩端電位高低不確定
A.光敏
B.熱敏
C.摻雜
D.導(dǎo)電
最新試題
?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級(jí)原型的符號(hào)有（）。
在對數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí)，設(shè)秒信號(hào)的周期為10ns，若要觀察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確，那么在復(fù)位信號(hào)無效，計(jì)時(shí)使能信號(hào)有效的情況下，仿真需運(yùn)行多長時(shí)間？（）
CG放大器因其輸入電阻過小，因此沒什么用處。
?6位7段數(shù)碼管動(dòng)態(tài)顯示模塊如圖，要求人眼看到所有數(shù)碼管同時(shí)顯示各自對應(yīng)的數(shù)字，控制數(shù)碼管位選信號(hào)的動(dòng)態(tài)掃描時(shí)鐘信號(hào)頻率約為多少？（）
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過程中，該同學(xué)觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當(dāng)輸入為以下哪種狀態(tài)時(shí)會(huì)出現(xiàn)冒險(xiǎn)現(xiàn)象？（）
?CS放大器中引入源極電阻RS，其作用有（）。?
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。