最新試題
常壓的硅外延方法有（）。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
互連工藝中AL的制備可選用（）。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
摻雜后，退火的目的是（）。
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）