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單項(xiàng)選擇題II-VI族化合物中的M空位V_m是（）。

A.點(diǎn)陣中的金屬原子間隙
B.一種在禁帶中引入施主的點(diǎn)缺陷
C.點(diǎn)陣中的點(diǎn)陣中的金屬原子空位
D.一種在禁帶中引入受主的位錯

1.單項(xiàng)選擇題電子在晶體中的共有化運(yùn)動是指（）。

A.電子在晶體中各處出現(xiàn)的幾率相同
B.電子在晶體原胞中各點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同
C.電子在晶體各原胞對應(yīng)點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同
D.電子在晶體各原胞對應(yīng)點(diǎn)的相位相同

2.單項(xiàng)選擇題最小電導(dǎo)率出現(xiàn)在（）型半導(dǎo)體。

A.n
B.p
C.本征

3.問答題硝酸（HNO₃）。

4.問答題鹽酸（HCl）。

5.問答題氫氧化鈉。