單項(xiàng)選擇題以下不是版圖驗(yàn)證的流程是（）。?

A.DRC
B.ERC
C.CLVS
D.P&R


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1.單項(xiàng)選擇題以下集成電路版圖（Layout）設(shè)計(jì)技術(shù)及方法，不正確的是（）。

A.版圖設(shè)計(jì)之前需要科學(xué)規(guī)劃
B.合理設(shè)計(jì)金屬連線的寬度
C.襯底應(yīng)該保證良好的接地
D.電路中較長的走線，不需要考慮到電阻效應(yīng)

2.單項(xiàng)選擇題集成電路設(shè)計(jì)及制造中，版圖（Layout）與掩膜（Mask）的關(guān)系是（）。?

A.根據(jù)版圖提供的信息來制造掩膜
B.根據(jù)掩膜提供的信息來設(shè)計(jì)版圖
C.版圖（Layout）與掩膜（Mask）的毫無關(guān)系
D.不確定

3.單項(xiàng)選擇題集成電路制造工藝中，以下對氧化速率沒有影響的因素是（）。?

A.溫度
B.厚度
C.硅晶向
D.摻雜

4.單項(xiàng)選擇題集成電路制造工藝中，以下不是熱氧化方法的是（）。?

A.干氧氧化
B.濕氧氧化
C.離子氧化
D.水蒸汽氧化

5.單項(xiàng)選擇題集成電路制造工藝中，二氧化硅膜不能用于（）。?

A.元器件的組成部分（如柵氧化層）
B.源漏極
C.互連層間絕緣介質(zhì)
D.作為掩蔽膜