單項(xiàng)選擇題集成電路制造工藝中，以下對氧化速率沒有影響的因素是（）。?

A.溫度
B.厚度
C.硅晶向
D.摻雜


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1.單項(xiàng)選擇題集成電路制造工藝中，以下不是熱氧化方法的是（）。?

A.干氧氧化
B.濕氧氧化
C.離子氧化
D.水蒸汽氧化

2.單項(xiàng)選擇題集成電路制造工藝中，二氧化硅膜不能用于（）。?

A.元器件的組成部分（如柵氧化層）
B.源漏極
C.互連層間絕緣介質(zhì)
D.作為掩蔽膜

3.單項(xiàng)選擇題以下對集成電路版圖設(shè)計(jì)中幾何設(shè)計(jì)規(guī)則描述不正確的是（）。?

A.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是版圖圖形編輯的依據(jù)
B.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是設(shè)計(jì)系統(tǒng)生成版圖的依據(jù)
C.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是分析計(jì)算的依據(jù)
D.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是檢查版圖錯誤的依據(jù)

4.單項(xiàng)選擇題以下不是影響刻蝕質(zhì)量的主要因素是（）。????

A.粘附性
B.刻蝕溫度
C.刻蝕時(shí)間
D.刻蝕槽的高度

5.單項(xiàng)選擇題下列有關(guān)集成電路發(fā)展趨勢的描述中，不正確的是（）。???

A.特征尺寸越來越小
B.晶圓尺寸越來越小
C.電源電壓越來越低
D.時(shí)鐘頻率越來越高