單項選擇題集成電路制造工藝中,以下不是熱氧化方法的是()。?

A.干氧氧化
B.濕氧氧化
C.離子氧化
D.水蒸汽氧化


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1.單項選擇題集成電路制造工藝中,二氧化硅膜不能用于()。?

A.元器件的組成部分(如柵氧化層)
B.源漏極
C.互連層間絕緣介質(zhì)
D.作為掩蔽膜

2.單項選擇題以下對集成電路版圖設計中幾何設計規(guī)則描述不正確的是()。?

A.幾何設計規(guī)則是版圖圖形編輯的依據(jù)
B.幾何設計規(guī)則是設計系統(tǒng)生成版圖的依據(jù)
C.幾何設計規(guī)則是分析計算的依據(jù)
D.幾何設計規(guī)則是檢查版圖錯誤的依據(jù)

3.單項選擇題以下不是影響刻蝕質(zhì)量的主要因素是()。????

A.粘附性
B.刻蝕溫度
C.刻蝕時間
D.刻蝕槽的高度

4.單項選擇題下列有關集成電路發(fā)展趨勢的描述中,不正確的是()。???

A.特征尺寸越來越小
B.晶圓尺寸越來越小
C.電源電壓越來越低
D.時鐘頻率越來越高

5.單項選擇題體現(xiàn)集成電路工藝技術水平的關鍵技術指標是:()。???

A.特征尺寸
B.器件數(shù)量
C.互連線長度
D.互連線層數(shù)