單項(xiàng)選擇題集成電路設(shè)計(jì)及制造中，版圖（Layout）與掩膜（Mask）的關(guān)系是（）。?

A.根據(jù)版圖提供的信息來制造掩膜
B.根據(jù)掩膜提供的信息來設(shè)計(jì)版圖
C.版圖（Layout）與掩膜（Mask）的毫無關(guān)系
D.不確定


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2.單項(xiàng)選擇題集成電路制造工藝中，以下不是熱氧化方法的是（）。?

A.干氧氧化
B.濕氧氧化
C.離子氧化
D.水蒸汽氧化

3.單項(xiàng)選擇題集成電路制造工藝中，二氧化硅膜不能用于（）。?

A.元器件的組成部分（如柵氧化層）
B.源漏極
C.互連層間絕緣介質(zhì)
D.作為掩蔽膜

4.單項(xiàng)選擇題以下對(duì)集成電路版圖設(shè)計(jì)中幾何設(shè)計(jì)規(guī)則描述不正確的是（）。?

A.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是版圖圖形編輯的依據(jù)
B.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是設(shè)計(jì)系統(tǒng)生成版圖的依據(jù)
C.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是分析計(jì)算的依據(jù)
D.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是檢查版圖錯(cuò)誤的依據(jù)

5.單項(xiàng)選擇題以下不是影響刻蝕質(zhì)量的主要因素是（）。????

A.粘附性
B.刻蝕溫度
C.刻蝕時(shí)間
D.刻蝕槽的高度