問(wèn)答題列出Si—SiO2界面處的四種電荷，說(shuō)明鈉離子是屬于哪一類電荷，以及這一類電荷會(huì)導(dǎo)致芯片出現(xiàn)什么問(wèn)題，工藝中如何解決這一問(wèn)題？
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最新試題
試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。
題型：?jiǎn)柎痤}
二極管存在最高工作頻率是因?yàn)镻N 結(jié)有電容效應(yīng)。
題型：判斷題
試說(shuō)明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說(shuō)明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型：?jiǎn)柎痤}
試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。
題型：?jiǎn)柎痤}
點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。
題型：判斷題
自由電子是載流子，空穴不是。
題型：判斷題
試說(shuō)明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。
題型：?jiǎn)柎痤}
列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型：?jiǎn)柎痤}
本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。
題型：判斷題