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問答題
【簡答題】根據(jù)氧化物的生長規(guī)律，試說明熱氧化生長過程中的兩個主要階段，并說明它們分別位于氧化生長過程中的哪一時段，各自的生長模型和規(guī)律以及反映生長速率的參數(shù)和影響該參數(shù)的主要因素是什么？
答案：分為線性氧化階段和拋物線氧化階段，他們分別位于氧化硅生長的初始階段或氧化層足夠薄時和氧化一段時間后的氧化硅生長的第二階段...
問答題
【簡答題】試說明氧化生長速率的基本定義及其物理含義，并說明影響氧化生長速率的主要工藝參數(shù)，及他們對生長速率的主要影響。
答案：氧化生長速率是用于描述氧化物在硅片上生長的快慢。當(dāng)氧化劑的量足夠時，SiO₂生長的快慢最終由氧化劑...
問答題
【簡答題】試給出硅片上的熱氧化生長過程的示意圖，并說明其中的各物理量的基本含義。
答案：
F：number/（cm²-s）
C：number/cm³
問答題
【簡答題】是說明什么是迪爾—格羅夫模型？試給出迪爾—格羅夫模型兩種極限情況的示意圖。并說明其物理意義。
答案：Deal-Grove氧化模型（線性－拋物線模型 linear-parabolic model），是可...
問答題
【簡答題】氧化硅的熱動力學(xué)生長過程中包括哪幾個主要過程？并說明每一種過程中的什么因素對氧化生長速率有影響？其中決定因素是什么？
答案：熱氧化過程中，氧化層的增厚包括三個過程：氧化劑從氣體內(nèi)部以擴(kuò)散形式輸運(yùn)到氣體—氧化層界面：氧化劑穿過滯流層到...
問答題
【簡答題】熱生長厚度是2000A的氧化層后，Si-SiO₂的界面與原來的硅表面的高度差為多少？為什么？
答案：
氧化中硅消耗的厚度占總氧化物厚度的46%，即意味著每生長1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗。
920A
問答題
【簡答題】什么是摻氯氧化？試說明氧化工藝中摻氯的主要優(yōu)點(diǎn)。
答案：在集成電路制造中，為了改善氧化硅膜的質(zhì)量，在氧化的全過程或部分氧化工藝中，在氧化劑的氣氛中加入一定數(shù)量的氯，將氯結(jié)合到氧...
問答題
【簡答題】為什么水汽氧化生成的氧化層質(zhì)量不如干氧氧化層？工藝中采用什么辦法來改善其氧化層質(zhì)量？
答案：原因：
（1）由于水汽的進(jìn)入，是網(wǎng)絡(luò)中大量的橋鍵氧變?yōu)榉菢蜴I氧的羥基，使氧化層結(jié)構(gòu)變疏松，密度降低，質(zhì)量不如干...
問答題
【簡答題】試說明熱氧化法的兩種基本方法及每種方法的生長機(jī)理（或過程），并比較兩種方法的主要異同點(diǎn)。
答案：干氧氧化：氧化開始時，是氧分子與硅片表面的硅原子進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成初始氧化層，其反應(yīng)方程式為：Si+O₂
問答題
【簡答題】什么是氧化硅中網(wǎng)絡(luò)形成者和網(wǎng)絡(luò)改變者？并舉二例說明它們對氧化層結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的影響。
答案：網(wǎng)絡(luò)形成者：是網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)發(fā)生變化；結(jié)構(gòu)上，改變氧化層中有氧橋和無氧橋的比例；性質(zhì)上，改變其密度硬度流動性熔點(diǎn)及擴(kuò)散...

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【簡答題】什么是表面反應(yīng)控制？什么是擴(kuò)散控制？并說明什么情況下生長過程分別為這兩種控制，以及這兩種控制在生長速率上呈何種反應(yīng)？

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【簡答題】試說明氧化生長速率的基本定義及其物理含義，并說明影響氧化生長速率的主要工藝參數(shù)，及他們對生長速率的主要影響。

【簡答題】試給出硅片上的熱氧化生長過程的示意圖，并說明其中的各物理量的基本含義。

【簡答題】是說明什么是迪爾—格羅夫模型？試給出迪爾—格羅夫模型兩種極限情況的示意圖。并說明其物理意義。

【簡答題】氧化硅的熱動力學(xué)生長過程中包括哪幾個主要過程？并說明每一種過程中的什么因素對氧化生長速率有影響？其中決定因素是什么？

【簡答題】熱生長厚度是2000A的氧化層后，Si-SiO₂的界面與原來的硅表面的高度差為多少？為什么？

【簡答題】什么是摻氯氧化？試說明氧化工藝中摻氯的主要優(yōu)點(diǎn)。

【簡答題】為什么水汽氧化生成的氧化層質(zhì)量不如干氧氧化層？工藝中采用什么辦法來改善其氧化層質(zhì)量？

【簡答題】試說明熱氧化法的兩種基本方法及每種方法的生長機(jī)理（或過程），并比較兩種方法的主要異同點(diǎn)。

【簡答題】什么是氧化硅中網(wǎng)絡(luò)形成者和網(wǎng)絡(luò)改變者？并舉二例說明它們對氧化層結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的影響。

【簡答題】什么是表面反應(yīng)控制？什么是擴(kuò)散控制？并說明什么情況下生長過程分別為這兩種控制，以及這兩種控制在生長速率上呈何種反應(yīng)？

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【簡答題】試說明氧化生長速率的基本定義及其物理含義，并說明影響氧化生長速率的主要工藝參數(shù)，及他們對生長速率的主要影響。

【簡答題】試給出硅片上的熱氧化生長過程的示意圖，并說明其中的各物理量的基本含義。

【簡答題】是說明什么是迪爾—格羅夫模型？試給出迪爾—格羅夫模型兩種極限情況的示意圖。并說明其物理意義。

【簡答題】氧化硅的熱動力學(xué)生長過程中包括哪幾個主要過程？并說明每一種過程中的什么因素對氧化生長速率有影響？其中決定因素是什么？

【簡答題】熱生長厚度是2000A的氧化層后，Si-SiO2的界面與原來的硅表面的高度差為多少？為什么？

【簡答題】什么是摻氯氧化？試說明氧化工藝中摻氯的主要優(yōu)點(diǎn)。

【簡答題】為什么水汽氧化生成的氧化層質(zhì)量不如干氧氧化層？工藝中采用什么辦法來改善其氧化層質(zhì)量？

【簡答題】試說明熱氧化法的兩種基本方法及每種方法的生長機(jī)理（或過程），并比較兩種方法的主要異同點(diǎn)。

【簡答題】什么是氧化硅中網(wǎng)絡(luò)形成者和網(wǎng)絡(luò)改變者？并舉二例說明它們對氧化層結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的影響。

【簡答題】什么是表面反應(yīng)控制？什么是擴(kuò)散控制？并說明什么情況下生長過程分別為這兩種控制，以及這兩種控制在生長速率上呈何種反應(yīng)？

【簡答題】試說明氧化生長速率的基本定義及其物理含義，并說明影響氧化生長速率的主要工藝參數(shù)，及他們對生長速率的主要影響。

【簡答題】試給出硅片上的熱氧化生長過程的示意圖，并說明其中的各物理量的基本含義。

【簡答題】是說明什么是迪爾—格羅夫模型？試給出迪爾—格羅夫模型兩種極限情況的示意圖。并說明其物理意義。

【簡答題】氧化硅的熱動力學(xué)生長過程中包括哪幾個主要過程？并說明每一種過程中的什么因素對氧化生長速率有影響？其中決定因素是什么？

【簡答題】熱生長厚度是2000A的氧化層后，Si-SiO₂的界面與原來的硅表面的高度差為多少？為什么？

【簡答題】什么是摻氯氧化？試說明氧化工藝中摻氯的主要優(yōu)點(diǎn)。

【簡答題】為什么水汽氧化生成的氧化層質(zhì)量不如干氧氧化層？工藝中采用什么辦法來改善其氧化層質(zhì)量？

【簡答題】試說明熱氧化法的兩種基本方法及每種方法的生長機(jī)理（或過程），并比較兩種方法的主要異同點(diǎn)。

【簡答題】什么是氧化硅中網(wǎng)絡(luò)形成者和網(wǎng)絡(luò)改變者？并舉二例說明它們對氧化層結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的影響。