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判斷題在各向同性刻蝕時，薄膜的厚度應該大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果圖形所要求的分辨率遠小于薄膜厚度，則必須采用各向異性刻蝕。

1.判斷題外延生長過程中雜質的對流擴散效應，特別是高濃度一側向異側端的擴散，不僅使界面附近濃度分布偏離了理想情況下的突變分布而形成緩變，且只有在離界面稍遠處才保持理想狀態(tài)下的均勻分布，使外延層有效厚度變窄。

2.判斷題曝光波長的縮短可以使光刻分辨率線性提高，但同時會使焦深線性減小。如果增大投影物鏡的數(shù)值孔徑，那么在提高光刻分辨率的同時，投影物鏡的焦深也會急劇減小，因此在分辨率和焦深之間必須折衷。

3.判斷題化學機械拋光（CMP）帶來的一個顯著的質量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。

4.判斷題蒸發(fā)最大的缺點是不能產生均勻的臺階覆蓋，但是可以比較容易的調整淀積合金的組分

5.判斷題LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃，采用增強的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。