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填空題在異質(zhì)結(jié)雙極晶體管中，發(fā)射區(qū)的禁帶寬度（）于基區(qū)的禁帶寬度，從而使異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的（）大于同質(zhì)結(jié)雙極晶體管的。

1.填空題發(fā)射區(qū)重摻雜效應是指當發(fā)射區(qū)摻雜濃度太高時，不但不能提高（），反而會使其（）。造成發(fā)射區(qū)重摻雜效應的原因是（）和（）。

2.填空題小電流時會（）。這是由于小電流時，發(fā)射極電流中（）的比例增大，使注入效率下降。

3.填空題在緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)中會產(chǎn)生一個（），它對少子在基區(qū)中的運動起到（）的作用，使少子的基區(qū)渡越時間（）。

4.填空題某長方形薄層材料的方塊電阻為100Ω，長度和寬度分別為300μm和60μm，則其長度方向和寬度方向上的電阻分別為（）和（）。若要獲得1KΩ的電阻，則該材料的長應改變?yōu)椋ǎ?/a>

5.填空題在設計與制造晶體管時，為提高晶體管的電流放大系數(shù)，應當（）基區(qū)寬度，（）基區(qū)摻雜濃度。